 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Лисунов А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| 1. |
Жучков В. А.
Ползучесть твердого 4Не при температурах ниже 1 К [Електронний ресурс] / В. А. Жучков, А. А. Лисунов, В. А. Майданов, А. С. Неонета, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, С. Н. Смирнов // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 3. - С. 223-232. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_3_4
| | 2. |
Лисунов А. А.
Пластическое течение твердого 3Не через пористую упругую пленку [Електронний ресурс] / А. А. Лисунов, В. А. Майданов, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, С. Н. Смирнов // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 12. - С. 1372-1396. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_12_5
В области температур 0,1 - 1 К проведено исследование пластического течения твердого <^>3He через металлизированную пористую упругую полимерную пленку, вмороженную в кристалл. Течение вызывалось механическими напряжениями в кристалле, которые создавались внешней электрической силой. Скорость пластического течения твердого гелия определялась по изменению емкости измерительного конденсатора, в котором металлизированная поверхность пленки служила подвижным электродом. На полученных температурных зависимостях скорости пластического течения V(Т) четко идентифицированы 2 участка. Выше ~ 0,2 К величина V уменьшается по экспоненциальному закону при понижении температуры, что соответствует термически активированному режиму пластического течения. При более низких температурах V не зависит от температуры, что свидетельствует о квантовом пластическом течении. В области термоактивации проанализированы экспериментальные данные и определены эмпирические значения активационного объема, энергии активации и величины порогового механического напряжения, начиная с которого возникает макроскопическое пластическое течение. Обнаружено, что величина активационного объема в 30 - 70 раз больше атомного объема, что свидетельствует о масштабе структурных перестроек в кристалле при элементарных актах пластического течения, значительно превышающем атомный размер. При этом значения энергии активации близки к величинам энергии активации вакансий. Полученные экспериментальные результаты проанализированы в рамках диффузионно-вакансионной и дислокационных моделей пластического течения. В рамках дислокационной модели проведена оценка температуры, ниже которой дислокации преодолевают барьер Пайерлса путем квантового туннелирования. В Приложении рассмотрены физические основы использованной методики, а так-же те результаты теории движения дислокаций в рельефе Пайерлса, которые использованы для анализа характеристик пластического течения твердого <^>3He.
| | 3. |
Рушай А. К.
Роль показателей термоассиметрии в определении объема медикаментозной профилактики нейропатических нарушений у больных с переломом лучевой кости в типичном месте [Електронний ресурс] / А. К. Рушай, А. К. Лисунов // Літопис травматології та ортопедії. - 2018. - № 1-2. - С. 228. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Lto_2018_1-2_46
| | 4. |
Лисунов А. А.
Особенности температурной зависимости давления твердого гелия при низких температурах [Електронний ресурс] / А. А. Лисунов, В. А. Майданов, В. Ю. Рубанский, С. П. Рубец, Э. Я. Рудавский, А. С. Рыбалко, Е. С. Сыркин // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 6. - С. 589-597. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_6_4
Проведена серия экспериментов по исследованию условий образования неупорядоченного (стеклоподобного) состояния в кристаллах <^>3He. С помощью прецизионных измерений давления при постоянном объеме установлено, что в быстро охлажденных кристаллах, выросших в однородных температурных условиях при наличии большого числа зародышей, легко образуется стекольная фаза, устраняемая лишь после тщательного отжига. Этот результат обнаружен как в <^>3He, так и в <^>4He, он не зависит от типа квантовой статистики, а определяется, в основном, условиями роста кристалла. Проведен анализ аналогичных измерений при использовании другой ячейки, где в процессе роста кристалла создавался направленный градиент температуры. В этом случае для образования стекольной фазы требовалось дополнительное количество дефектов, которые создавались в результате деформации кристалла. Достижимая в эксперименте степень деформации кристалла была достаточна для образования стекольной фазы в твердом <^>4He и недостаточна для кристалла <^>3He, где атомы имеют большую амплитуду нулевых колебаний. На основании анализа температурной зависимости давления проведено также исследование особенностей фононного вклада в давление. Обнаружено, что в кристаллах как <^>3He, так и <^>4He при разных толщинах образцов фононное давление отличается в несколько раз. Приведено качественное объяснение этого эффекта, который обусловлен тем, что в тонких образцах усиливается взаимодействие между слоями атомов. Такое усиление приводит к уменьшению фононного вклада в термодинамические свойства кристалла гелия при низких температурах.
|
|
|
Простий
Розширений
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
Пам`ятка користувача